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鋅合金底層鍍銅采用氰化鍍銅加焦磷酸鹽鍍銅加硫酸鹽光亮鍍銅的工藝。

選擇半光亮鎳+光亮鎳+鎳封這類鍍鎳工藝半光亮鎳：在具有良好導電性和覆蓋能力的瓦特鎳液中加入適當的不含硫的光亮劑，組成半亮鎳鍍液，與光亮鎳層之間產生適當的電位差（80mv～130mv）達到電化保護之目的。半亮鎳層膜厚可控制在2/3總膜層（約10μ m左右）較為理想。光亮鎳：膜層厚度占總鎳層厚約1/3左右（即5μ m左右）。二層間產生的電位差使得雙層鎳由單層鎳的縱向腐蝕轉變為橫向的腐蝕，達到保護銅層及以下鋅合金基體的作用。鎳封：在普通的光亮鎳溶液中，加入某些非導體微粒，微粒直徑在0.1～1μ m（微米）的不溶性固體如SiO2等，通過攪拌使這些微粒懸浮在鍍液中，在適當的共沉積促進劑幫助下，使這些微粒與鎳發生共沉積而形成鎳與微粒組成的復合鍍層。在后續鍍鉻時，由于復合鍍層表面上的微粒不導電，鉻不能在微粒表面沉積，使鉻層上形成大量微孔，即所謂微孔鉻。鎳封層的微粒密度在1.5萬～3萬/Cm2最為理想。微孔鉻表面存有的大量微孔，可在很大程度上消除普通鉻層中的內應力，因而減少了鉻層的應力腐蝕，尤為重要的是鉻層上的大量微孔將鉻層下面的光亮鎳大面積地暴露出來，在腐蝕介質作用下，鉻與鎳組成電池，鉻層為陰極，微孔處暴露的光亮鎳為陽極而遭腐蝕。從而改變了大陰極小陽極的腐蝕模式，使得腐蝕電流幾乎被分散到整個光亮鎳層上，從而防止了產生大而深的直貫基體金屬的少量腐蝕溝紋和凹坑，并使鍍層的腐蝕速度減小，且向橫向發展，因而保護了基體，顯著地提高了鍍層的耐腐蝕性能。

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